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SPP11N65C3
1.426
SPP11N65C3 数据手册 (15 页)
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SPP11N65C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-220-3
极性
N-CH
输入电容
1.20 nF
栅电荷
60.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
125 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125 W

SPP11N65C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
高度
15.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPP11N65C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.55 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.55 MByte

SPP11N65 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 11A
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