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Datasheet 搜索 > Flash芯片 > Micron(镁光) > M29W160ET70N6E Datasheet 文档
M29W160ET70N6E
器件3D模型
0.709
M29W160ET70N6E 数据手册 (45 页)
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M29W160ET70N6E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
TSOP-48
供电电流
10 mA
针脚数
48 Position
位数
8, 16 Bit
存取时间
70 ns
内存容量
2000000 B
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

M29W160ET70N6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

M29W160ET70N6E 数据手册

Micron(镁光)
45 页 / 0.61 MByte
Micron(镁光)
71 页 / 1.36 MByte

M29W160ET70N6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
Micron(镁光)
MICRON  M29W160ET70N6E  闪存, 引导块, 非, 16 Mbit, 2M x 8位 / 1M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚
Micron(镁光)
ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics(意法半导体)
16兆位(2MB ×8或1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
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