￥ 1.7

SPP15N60C3HKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPP15N60C3HKSA1 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPP15N60C3HKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

15A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

1660pF @25V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

156000 mW

查看数据手册 >

SPP15N60C3HKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

查看数据手册 >

SPP15N60C3HKSA1 符合标准

SPP15N60C3HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.66 MByte

SPP15N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor

SPP15N60C3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

SPP15N60C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

SPP15N60C3HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPP15N60C3XK 数据手册

Infineon（英飞凌）

SPP15N60C3_09 数据手册

Infineon（英飞凌）

新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号