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SPP20N60C2
2.17
SPP20N60C2 数据手册 (14 页)
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SPP20N60C2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
650 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20A

SPP20N60C2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube

SPP20N60C2 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.15 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 0.65 MByte
Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.15 MByte

SPP20N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP20N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP20N60C3HKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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