￥ 2.793

SPP20N60C3HKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3-1

描述:

INFINEON SPP20N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPP20N60C3HKSA1 数据手册 (15 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPP20N60C3HKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3-1

针脚数

3 Position

漏源极电阻

190 mΩ

极性

N-Channel

功耗

208 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

20.7A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @25V(Vds)

下降时间

4.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

208W (Tc)

查看数据手册 >

SPP20N60C3HKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

9.25 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SPP20N60C3HKSA1 符合标准

SPP20N60C3HKSA1 概述

SPP20N60C3HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 1.78 MByte

SPP20N60C3HKSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

SPP20N60C3HKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.66 MByte

SPP20N60C3HKSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.15 MByte

SPP20N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPP20N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

SPP20N60C3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPP20N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

SPP20N60C3HKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPP20N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

SPP20N60C3XK 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号