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SPP20N60S5
3.633
SPP20N60S5 数据手册 (11 页)
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SPP20N60S5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
208 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
190 mΩ
极性
N-Channel
功耗
208 W
阈值电压
4.5 V
输入电容
3.00 nF
栅电荷
103 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A
上升时间
25 ns
输入电容值(Ciss)
3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
208 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
208W (Tc)

SPP20N60S5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPP20N60S5 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

SPP20N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP20N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP20N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP20N60C3HKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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