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SPP24N60C3
1.943
SPP24N60C3 数据手册 (11 页)
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SPP24N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
24.3 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
极性
N-Channel
功耗
240 W
输入电容
3.00 nF
栅电荷
135 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
24.3 A
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
240 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
240 W

SPP24N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.4 mm
高度
9.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPP24N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.33 MByte
Infineon(英飞凌)
59 页 / 1.07 MByte

SPP24N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP24N60CFD.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21.7 A, 650 V, 185 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 24.3A
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP24N60C3HKSA1, 24.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
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