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SPP24N60CFD
2.657
SPP24N60CFD 数据手册 (12 页)
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SPP24N60CFD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
185 mΩ
极性
N-Channel
功耗
240 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
21.7 A
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
3160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
240 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

SPP24N60CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SPP24N60CFD 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 1.89 MByte

SPP24N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP24N60CFD.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21.7 A, 650 V, 185 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 650V 24.3A
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP24N60C3HKSA1, 24.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
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