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SPW20N60C2
2.74

SPW20N60C2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
600 V
额定电流
20.0 A
封装
TO-247-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20A
输入电容值(Ciss)
3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
208 W

SPW20N60C2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

SPW20N60C2 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.12 MByte

SPW20N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW20N60CFDFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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