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IRFBG20PBF
0.787
IRFBG20PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBG20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
54W (Tc)
漏源极电压(Vds)
1000 V
输入电容值(Ciss)
500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
54 W
耗散功率(Max)
54W (Tc)

IRFBG20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFBG20PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.21 MByte
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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IRFBG20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 11ohm ,ID = 1.4A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,1000V,1.4A,11Ω@10V
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
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