SPW32N50C3

￥ 25.486

SPW32N50C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

INFINEON SPW32N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 560 V, 110 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPW32N50C3 数据手册 (12 页)

SPW32N50C3 数据手册 (12 页)

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SPW32N50C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

560 V

额定电流

32.0 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

110 mΩ

极性

N-Channel

功耗

284 W

阈值电压

3 V

输入电容

4.20 nF

栅电荷

170 nC

漏源极电压(Vds)

560 V

连续漏极电流(Ids)

32.0 A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

284 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

284 W

查看数据手册 >

SPW32N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tube

长度

16.13 mm

宽度

5.21 mm

高度

21.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SPW32N50C3 符合标准

SPW32N50C3 海关信息

SPW32N50C3 概述

SPW32N50C3 数据手册

SPW32N50C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.8 MByte

SPW32N50C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 2.6 MByte

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SPW32N50C3 数据手册

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INFINEON SPW32N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 560 V, 110 mohm, 10 V, 3 V

SPW32N50C3FKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3FKSA1, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装

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