Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > SPW35N60C3 Datasheet 文档
SPW35N60C3
2.057
SPW35N60C3 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SPW35N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
34.6 A
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.081 Ω
极性
N-Channel
功耗
313 W
阈值电压
3 V
输入电容
4.50 nF
栅电荷
200 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
34.6 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
313 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
313W (Tc)

SPW35N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPW35N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.74 MByte
Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.74 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPW35N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW35N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW35N60CFDFKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 34.1 A, 600 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power Transistor
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z