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SQ2310ES-T1_GE3
0.171
SQ2310ES-T1_GE3 数据手册 (9 页)
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SQ2310ES-T1_GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.024 Ω
极性
N-CH
功耗
2 W
阈值电压
600 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
387pF @10V(Vds)
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Tc)

SQ2310ES-T1_GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
3000

SQ2310ES-T1_GE3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.18 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.22 MByte

SQ2310EST1 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点• 符合 AEC-Q101 标准 • 接点温度高达 +175°C • 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 • 创新型节省空间封装选项### 认可AEC-Q101### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SQ2310ES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 600 mV
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
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