￥ 1.051

SQJ431EP-T1_GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8L

描述:

SQJ431EP 系列 200 V 0.213 Ohms P-沟道功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8L

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SQJ431EP-T1_GE3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

SQJ431EP-T1_GE3 数据手册 (11 页)

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SQJ431EP-T1_GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

5 Pin

封装

SO-8L

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.178 Ω

极性

P-Channel

功耗

83 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

3483pF @25V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83000 mW

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SQJ431EP-T1_GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃

最小包装数量

3000

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SQJ431EP-T1_GE3 符合标准

SQJ431EP-T1_GE3 数据手册

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