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器件3D模型
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BCX17LT1G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR BCX17LT1G 单晶体管 双极, PNP, 45 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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BCX17LT1G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-500 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW
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BCX17LT1G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BCX17LT1G 符合标准
BCX17LT1G 海关信息
BCX17LT1G 概述
●
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −620mV/-0.62V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors (Voltage and Current are Negative for PNP Transistors) Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用晶体管 (PNP晶体管负电压和电流) 特点 •无铅包装是可用
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