SSM3J334R 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.054 @-300mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Management Switch Applications •Low ON-resistance: RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON)= 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON)= 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) 描述与应用| 电源管理开关应用 •低导通电阻RDS（ON）= 71（最大）（@ VGS= -10 V） RDS（ON）=105MΩ（最大）（@ VGS=-4.5 V） RDS（ON）= 136MΩ（最大）（@ VGS= -4.0 V）