SSM6N55NU 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 46mΩ@ VGS = 10V, ID = 4000mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1.3~2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| MOSFETs Silicon N-Channel MOS •Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 4.5V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 描述与应用| MOSFET的硅N沟道MOS •应用程序 •电源管理开关 •DC-DC转换器 2。特点 （1）4.5V栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻  RDS（ON）= 46MΩ（最大）（@ VGS=10 V） RDS（ON）=64毫欧（最大值）（@ VGS=4.5 V）