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SSM3K15CT
0.027
SSM3K15CT 数据手册 (5 页)
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SSM3K15CT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
CST-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
0.1A

SSM3K15CT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
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SSM3K15CT 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.14 MByte
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.14 MByte

SSM3K15 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM3K15AFU,LF 编带
Toshiba(东芝)
SSM3K15AFS,LF 编带
Toshiba(东芝)
SSM3K15ACT,L3F 编带
Toshiba(东芝)
高速开关应用模拟开关应用•最适用于高密度安装在小包装•低导通电阻:RON =4.0Ω(最大值)(@ VGS=4 V)RON =7.0Ω(最大值)(@ VGS= 2.5 V)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM3K15AMFV N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-723/VESM marking/标记 DI
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
集成电路
Toshiba(东芝)
SSM3K15FU N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DP 高速开关
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