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SSM6J503NU
0.084
SSM6J503NU 数据手册 (6 页)
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SSM6J503NU 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
UDFN6B
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6A

SSM6J503NU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

SSM6J503NU 数据手册

Toshiba(东芝)
6 页 / 0.23 MByte

SSM6J503 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻
Toshiba(东芝)
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