SSM6J503NU 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -600mA/-0.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.0277Ω @-3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Management Switch Applications • 1.5V drive • Low ON-resistance: RDS(ON)= 89.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON)= 57.9 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 41.7 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 32.4 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 描述与应用| 电源管理开关应用 •1.5V驱动 •低导通电阻RDS（ON）=89.6MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V） RDS（ON）=57.9毫欧（最大值）（@ VGS=-1.8 V） RDS（ON）=41.7MΩ（最大（@ VGS=-2.5 V） RDS（ON）=32.4MΩ（最大）（@ VGS=-4.5 V）