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STB10N95K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STB10N95K5 系列 950 V 0.8 Ohm 表面贴装 N 沟道功率 Mosfet - D2PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB10N95K5 数据手册 (22 页)

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STB10N95K5 数据手册 (22 页)

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STB10N95K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

130 W

漏源极电压(Vds)

950 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

630pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

130 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

130W (Tc)

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STB10N95K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB10N95K5 符合标准

STB10N95K5 海关信息

STB10N95K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB10N95 数据手册

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STB10N95K5 系列 950 V 0.8 Ohm 表面贴装 N 沟道功率 Mosfet - D2PAK-3

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