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Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Infineon(英飞凌) > FZ900R12KE4 Datasheet 文档
FZ900R12KE4
125.907
FZ900R12KE4 数据手册 (9 页)
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FZ900R12KE4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
4 Pin
封装
AG-62MM-2
额定功率
4300 W
功耗
4300 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
56nF @25V
额定功率(Max)
4300 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

FZ900R12KE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FZ900R12KE4 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.67 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.25 MByte

FZ900R12 数据手册

Infineon(英飞凌)
62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
Infineon(英飞凌)
62毫米C系列模块,带沟槽/场终止IGBT 4极和发射Controlled4二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 4.3 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
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