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STB11NM60T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB11NM60T4 数据手册 (16 页)

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STB11NM60T4 数据手册 (16 页)

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STB11NM60T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

160 W

阈值电压

4 V

输入电容

1000 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

20 ns

正向电压(Max)

1.5 V

输入电容值(Ciss)

1000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STB11NM60T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB11NM60T4 符合标准

STB11NM60T4 海关信息

STB11NM60T4 概述

STB11NM60T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.35 MByte

STB11NM60T4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.57 MByte

STB11NM60T4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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N沟道600 V ， 0.37 Ω ， 10 A的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK

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N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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