STB11NM80T4

￥ 4.047

STB11NM80T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB11NM80T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB11NM80T4 数据手册 (22 页)

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STB11NM80T4 数据手册 (22 页)

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STB11NM80T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

44.0 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

1630pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

查看数据手册 >

STB11NM80T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB11NM80T4 符合标准

STB11NM80T4 海关信息

STB11NM80T4 概述

STB11NM80T4 数据手册

STB11NM80T4 数据手册

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STB11NM80T4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB11NM80T4 其他参考文件

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道800 V - 0.35ヘ - 11 A - TO- 220 / FP- D2PAK - TO- 247 MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh⑩ Power MOSFET

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