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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > TI(德州仪器) > ULN2003ADE4 Datasheet 文档
ULN2003ADE4
器件3D模型
0.12
ULN2003ADE4 数据手册 (35 页)
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ULN2003ADE4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
封装
SOIC-16
输出接口数
7 Output
通道数
7 Channel
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
集电极最大允许电流
0.5A
输入电压(Max)
5 V
输出电压(Max)
50 V
输出电流(Max)
500 mA
直流电流增益(hFE)
1000
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃

ULN2003ADE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-20℃ ~ 70℃ (TA)

ULN2003ADE4 数据手册

TI(德州仪器)
35 页 / 1.29 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.39 MByte
TI(德州仪器)
6 页 / 0.41 MByte

ULN2003 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
七达林顿阵列 Seven Darlington array
UTC(友顺)
达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003ADR  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ULN2003AN  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  ULN2003D1013TR  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  ULN2003ADR2G.  达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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