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STB12NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

D2PAK

描述:

N沟道800V - 0.65欧姆 - 10.5A TO- 220 / D2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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STB12NK80Z 数据手册 (15 页)

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STB12NK80Z 数据手册 (15 页)

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STB12NK80Z 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

10.5A

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STB12NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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STB12NK80Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道800V - 0.65欧姆 - 10.5A TO- 220 / D2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

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