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STB12NM50NT4
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STB12NM50NT4 数据手册 (18 页)
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STB12NM50NT4 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
11A

STB12NM50NT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

STB12NM50NT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.92 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 1.06 MByte

STB12NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB12NM50T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V , 0.29欧姆, 11A , FDmesh II功率MOSFET (具有快速二极管)的D2PAK , DPAK , TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB12NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics(意法半导体)
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