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STGD10NC60HDT4 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
IGBT晶体管
封装:
TO-252-3
描述:
600 V - 10 A - 非常快速的IGBT 600 V - 10 A - very fast IGBT
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸
在
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STGD10NC60HDT4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
65000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
22 ns
额定功率(Max)
62 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
62000 mW
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STGD10NC60HDT4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
高度
2.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGD10NC60HDT4 符合标准
STGD10NC60HDT4 海关信息
STGD10NC60HDT4 数据手册
STGD10NC60HDT4
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ST Microelectronics(意法半导体)
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STGD10NC60 数据手册
STGD10NC60
KDT4
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ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
STGD10NC60
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ST Microelectronics(意法半导体)
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600 V - 10 A - 非常快速的IGBT 600 V - 10 A - very fast IGBT
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N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGD10NC60
KD
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ST Microelectronics(意法半导体)
10 A, 600 V短路崎岖IGBT 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
STGD10NC60
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N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGD10NC60
H
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N沟道10A - 600V - DPAK非常快PowerMESH⑩ IGBT N-channel 10A - 600V - DPAK Very fast PowerMESH⑩ IGBT
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