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STB12NM60N-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB12NM60N-1 数据手册 (18 页)

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STB12NM60N-1 数据手册 (18 页)

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STB12NM60N-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

功耗

90W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

输入电容值(Ciss)

960pF @50V(Vds)

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STB12NM60N-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB12NM60N-1 符合标准

STB12NM60N-1 概述

STB12NM60N-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.6 MByte

STB12NM60 数据手册

STB12NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STB12NM60N-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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