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STB13N80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™ K5 系列，SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB13N80K5 数据手册 (23 页)

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STB13N80K5 数据手册 (23 页)

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STB13N80K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.37 Ω

极性

N-CH

功耗

19 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

870pF @100V(Vds)

下降时间

16 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STB13N80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB13N80K5 符合标准

STB13N80K5 海关信息

STB13N80K5 概述

STB13N80K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 0.96 MByte

STB13N80K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.71 MByte

STB13N80 数据手册

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