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STB14NK60Z
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STB14NK60Z 数据手册 (19 页)
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STB14NK60Z 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.5A

STB14NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STB14NK60Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.56 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.65 MByte

STB14NK60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
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