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器件3D模型
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VNP5N07FI-E 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
VNP5N07FI-E 数据手册 (15 页)
封装尺寸
在
10 页
11 页
12 页
13 页
原理图
在
2 页
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VNP5N07FI-E 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
200 mΩ
极性
N-Channel
功耗
24 W
漏源击穿电压
70.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
查看数据手册 >
VNP5N07FI-E 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
查看数据手册 >
VNP5N07FI-E 符合标准
VNP5N07FI-E 海关信息
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