Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > VNP5N07FI-E Datasheet 文档
VNP5N07FI-E
0
VNP5N07FI-E 数据手册 (15 页)
查看文档
或点击图片查看大图

VNP5N07FI-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
200 mΩ
极性
N-Channel
功耗
24 W
漏源击穿电压
70.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

VNP5N07FI-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube

VNP5N07FI-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.35 MByte

VNP5N07 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
7 A 70 V 0.2 Ω 低边 完全自保护 功率MOSFET - TO-220-3
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET :完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: VNP5N07 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z