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STB185N55
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STB185N55 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
120A

STB185N55 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

STB185N55 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.2 MByte

STB185 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ?功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100 V, 4.0毫欧, 120 A, D2PAK , TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK / TO- 220 N-channel 55V - 2.9mohm - 120A - D2PAK/TO-220
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