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STB25NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB25NM60ND 数据手册 (21 页)

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STB25NM60ND 数据手册 (21 页)

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STB25NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.13 Ω

极性

N-Channel

功耗

160 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STB25NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB25NM60ND 符合标准

STB25NM60ND 海关信息

STB25NM60ND 概述

STB25NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.63 MByte

STB25NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STB25NM60ND 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

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