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STB26NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB26NM60N 数据手册 (17 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页

STB26NM60N 数据手册 (17 页)

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STB26NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.135 Ω

极性

N-Channel

功耗

140 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

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STB26NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB26NM60N 符合标准

STB26NM60N 海关信息

STB26NM60N 概述

STB26NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 1.11 MByte

STB26NM60N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STB26NM60N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.11 MByte

STB26NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

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