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STP19NM50N
2.194
STP19NM50N 数据手册 (15 页)
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STP19NM50N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
110 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
1000pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
110 W
下降时间
17 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

STP19NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STP19NM50N 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.69 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.69 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.01 MByte

STP19NM50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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