￥ 3.643

STB30N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道650 V， 0.125 I© ， 22 A， MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET DÂ²PAK ， TO- 220FP ， IÂ²PAK ， TO- 220 ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Î©, 22 A, MDmeshâ¢ V Power MOSFET DÂ²PAK, TO-220FP, IÂ²PAK, TO-220, TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB30N65M5 数据手册 (22 页)

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STB30N65M5 数据手册 (22 页)

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STB30N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

140 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

2880pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

140 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

140W (Tc)

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STB30N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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STB30N65M5 符合标准

STB30N65M5 海关信息

STB30N65M5 概述