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1N4773A
器件3D模型
86.137
1N4773A 数据手册 (2 页)
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1N4773A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
容差
±5 %
封装
DO-35
稳压值
9.1 V
额定功率(Max)
500 mW

1N4773A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 100℃

1N4773A 数据手册

Microsemi(美高森美)
2 页 / 0.1 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.64 MByte
Microsemi(美高森美)
10 页 / 0.12 MByte

1N4773 数据手册

Microsemi(美高森美)
9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
Microchip(微芯)
稳压二极管 OTC Temperature Compensated Zeners
Motorola(摩托罗拉)
ST Microelectronics(意法半导体)
New Jersey Semiconductor
Microsemi(美高森美)
9.1 VOLT温度补偿齐纳二极管基准二极管 9.1 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
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