￥ 0.382

STB6NK60ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB6NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB6NK60ZT4 数据手册 (17 页)

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STB6NK60ZT4 数据手册 (17 页)

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STB6NK60ZT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

3.75 V

输入电容

905 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.00 A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

905pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

19 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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STB6NK60ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB6NK60ZT4 符合标准

STB6NK60ZT4 海关信息

STB6NK60ZT4 概述