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STB7NK80ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB7NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB7NK80ZT4 数据手册 (17 页)

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STB7NK80ZT4 数据手册 (17 页)

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STB7NK80ZT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

5.20 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.20 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1138pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STB7NK80ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB7NK80ZT4 符合标准

STB7NK80ZT4 海关信息

STB7NK80ZT4 概述