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STP6N120K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP6N120K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP6N120K3 数据手册 (15 页)

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STP6N120K3 数据手册 (15 页)

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STP6N120K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.95 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

连续漏极电流(Ids)

输入电容值(Ciss)

1050pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STP6N120K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

14.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP6N120K3 符合标准

STP6N120K3 海关信息

STP6N120K3 概述

STP6N120K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.79 MByte

STP6N120K3 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.15 MByte

STP6N120K3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.77 MByte

STP6N120K3 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP6N120 数据手册

STP6N120K3 数据手册

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