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STB9NK50Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

N沟道500V - 0.72W - 7.2A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK齐纳保护的超网？功率MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.72W - 7.2A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH? Power MOSFET

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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STB9NK50Z 数据手册 (12 页)

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STB9NK50Z 数据手册 (12 页)

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STB9NK50Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263

漏源极电阻

720 mΩ

极性

N-Channel

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

7.20 A

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STB9NK50Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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STB9NK50Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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