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IRFB11N50APBF
1.108
IRFB11N50APBF 数据手册 (8 页)
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IRFB11N50APBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
170000 mW
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
1423pF @25V(Vds)
下降时间
28 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
170W (Tc)

IRFB11N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFB11N50APBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.13 MByte
Vishay Siliconix
2 页 / 0.64 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRFB11N50 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON)最大值= 0.52ohm ,ID = 11A) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,500V,11A,520mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFB11N50APBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 4 V
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
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