ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB9NK50ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB9NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 850 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道900 V， 1.1 Ω ， 8 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， TO- 247齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.85 ？ - 7A的TO-220 / TO- 220FP / DPAK SuperFREDMesh MOSFET的 N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道700V - 1欧姆 - 7.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB9NK70Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.0056ohm - 90A D2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
