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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > PBSS4160DPN,115 Datasheet 文档
PBSS4160DPN,115
器件3D模型
0.077
PBSS4160DPN,115 数据手册 (18 页)
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PBSS4160DPN,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-74-6
额定功率
0.56 W
针脚数
6 Position
功耗
290 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
100
最大电流放大倍数
250 @1mA, 5V
额定功率(Max)
420 mW
直流电流增益(hFE)
500
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
700 mW

PBSS4160DPN,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

PBSS4160DPN,115 数据手册

Nexperia(安世)
18 页 / 0.25 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

PBSS4160 数据手册

Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4160T,215 , NPN 晶体管, 900 mA, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4160T,215  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 220 MHz, 270 mW, 1 A, 400 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS4160DPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 (PNP) MHz,220 (NPN) MHz, 6引脚
Nexperia(安世)
NXP PBSS4160DS,115, 双 NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 6引脚 TSOP封装
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS4160DPN,115  双极- 射频功率晶体管, 220 MHz, 500 hFE, 1 A
Nexperia(安世)
2个NPN 60V 2W 100nA
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, PNP, 60 V, 175 MHz, 2 W, 1 A, 70 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 510 mW, 1 A, 70 hFE, SOT-1118
Nexperia(安世)
2个NPN 60V 560mW 100nA
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