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STB9NK90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道900 V， 1.1 Ω ， 8 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， TO- 247齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB9NK90Z 数据手册 (17 页)

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STB9NK90Z 数据手册 (17 页)

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STB9NK90Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

900 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.3 Ω

极性

N-Channel

功耗

160 W

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

2115pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STB9NK90Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB9NK90Z 符合标准