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STD10NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STD10NM60N 数据手册 (17 页)

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STD10NM60N 数据手册 (17 页)

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STD10NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.53 Ω

极性

N-Channel

功耗

70 W

阈值电压

3 V

输入电容

540 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

540pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

70 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STD10NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STD10NM60N 符合标准

STD10NM60N 概述

STD10NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.88 MByte

STD10NM60N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

29 页 / 0.54 MByte

STD10NM60N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

27 页 / 1.22 MByte

STD10NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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STD10NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STD10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

STD10NM60ND 数据手册

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STMICROELECTRONICS STD10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V

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