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STD11N65M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

STMICROELECTRONICS STD11N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STD11N65M2 数据手册 (4 页)

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STD11N65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

85 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

7.5 ns

输入电容值(Ciss)

410pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

85 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

85W (Tc)

STD11N65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STD11N65M2 符合标准

STD11N65M2 数据手册

STD11N65M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.53 MByte

STD11N65M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.98 MByte

STD11N65 数据手册

STD11N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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