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STD11NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD11NM60ND 数据手册 (19 页)

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STD11NM60ND 数据手册 (19 页)

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STD11NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

450 mΩ

极性

N-Channel

功耗

90 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

10A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STD11NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STD11NM60ND 符合标准

STD11NM60ND 海关信息

STD11NM60ND 概述

STD11NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.74 MByte

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20 页 / 0.72 MByte

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N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET

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N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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N沟道600 V ， 0.37 Ω ， 10 A ， FDmesh ™II功率MOSFET I2PAK ， TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

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