￥ 0.626

STD150NH02LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N沟道24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK ™ - IPAK的STripFET ™伊犁功率MOSFET N-channel 24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD150NH02LT4 数据手册 (16 页)

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STD150NH02LT4 数据手册 (16 页)

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STD150NH02LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

24.0 V

额定电流

150 A

封装

TO-252-3

漏源极电阻

0.0035 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

1.8 V

输入电容

4.45 nF

栅电荷

69.0 nC

漏源极电压(Vds)

24 V

漏源击穿电压

24.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

150 A

上升时间

224 ns

输入电容值(Ciss)

4450pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STD150NH02LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

6.5 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.17 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STD150NH02LT4 符合标准