￥ 0.413

FCU900N60Z 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCU900N60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FCU900N60Z 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

FCU900N60Z 数据手册 (10 页)

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FCU900N60Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.82 Ω

极性

N-Channel

功耗

52 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

4.5A

上升时间

5.3 ns

输入电容值(Ciss)

710pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

52 W

下降时间

11.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

52W (Tc)

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FCU900N60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

6.8 mm

宽度

2.5 mm

高度

6.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FCU900N60Z 符合标准

FCU900N60Z 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.79 MByte

FCU900N60Z 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.59 MByte

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCU900N60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.82 ohm, 10 V, 2.5 V

FCU900N60Z 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCU900N60Z, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

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